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采用NVMe™PCIe®接口，Micron 美光 3D QLC NAND闪存，顺序读取速度: 2,000 MB/s，顺序写入速度: 1,700 MB/s。动态写入加速、独立 NAND 冗余阵列 (RAIN)、多步骤数据完整性算法、自适应热保护、集成式断电保护、数据路径保护、活跃垃圾收集、TRIM 支持、NVMe 标准的自我监控分析与报告技术(SMART)、纠错码 (ECC)、NVMe 自治电源状态转换 (APST) 支持。厂家提供5年有限质保。
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