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采用的是美光176层3D TLC技术，相比128层技术，读写延迟改善了35%以上，混合工作负载性能提升15%，紧凑设计使裸片尺寸也减小了30%，并有2000TBW的写入寿命。配合2GB容量的独立DRAM缓存，取速度可达7500MB/s，写入速度可达6300MB/s，理论性能非常强悍。
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