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采用最新TLC V-NAND技术，接口为PCIe Gen3.0x4，支持NVMe标准，形态为M.2 2280，顺序读写分别高达3200MB/s和1900MB/s，其随机读写性能分别高达380K IOPS和360K IOPS，为需要高性能小巧尺寸固态硬盘用户提供了不错的选择。
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