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采用新的 V-NAND 技术以及新推出的自研控制器，随机读写速度得到巨大提升。随机读写速度分别为1400K/1550KIOPS，比980 PRO快40%和55%；其读取速度高达7450MB/s，写入读速也达到了6900MB/s，接近PCIe 4.0的理论数值。相较于980 Pro，990 PRO的耗电量较少，每瓦的性能比980 PRO高出50%，低功耗高性能。990 PRO采用镀镍涂层以提高控制器的散热效率，同时使用散热标签实现对NAND芯片的有效散热控制。
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